電験三種 H24年 理論 問11(半導体集積回路)

電験三種 H24年 理論 問11(半導体集積回路)

問 11
半導体集積回路 (IC) に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

(1) MOSICは、MOSFETを中心としてつくられたICである。

(2) ICを構造から分類すると、モノリシックICとハイブリッドICに分けられる。

(3) CMOSICは、nチャンネルMOSFETのみを用いて構成されるICである。

(4) アナログICには、演算増幅器やリニアICなどがある。

(5) ハイブリッドICでは、絶縁基板上に、ICチップや抵抗、コンデンサなどの回路素子が組み込まれている。

ここをクリックで解答の表示・非表示

解 答

この問題において、(1)、(2)、(4)、(5)の記述は、正しいものです。
(3)の記述は、誤りです。

CMOSICは、nチャネルMOFETとpチャネルMOSFETを相補型に組み合わせて作ったものです。

nチャネルMOFETのみで構成されるものではありません。

半導体回路の「MOSFETの仕組みとIC(集積回路)の概要」を参考にしてください。

正解は(3)